La compañía Toshiba ha desvelado su nueva memoria NAND flash fabricada en un proceso de 19 nm. Según una nota de prensa la nueva tecnología ha sido aplicada sobre chips de 64 Gb de 2 bits por celda que, como máximo, pueden ofrecer una densidad de 8 Gb por chip, aunque la compañía también señala que añadirán productos con chips de 3 bits por celda fabricados en un proceso de 19 nm.
La llegada de los chips de 64 Gb se espera para finales de abril, mientras que su producción en masa se produciría en el tercer trimestre del año. Gracias a este avance será posible apilar hasta 16 chips de 64 Gb en un encapsulado para ofrecer un total de 128 GB de capacidad.
Por lo demás se espera que vengan dotados de las especificaciones Toggle DDR 2.0, que consiguen mejorar las velocidades de transferencia.
