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Nuevos SSD Samsung 850 EVO con chips V-NAND de 3 bits

11 de diciembre, 2014 |
Iván Aparicio |
Comentarios: 3
| TechPowerUp
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Tags: Samsung, SSD, Almacenamiento

Comentarios:

1 : OverflowDj  (1274 comentarios)

11/12/2014 2:49:31

Escrito por N3RD:
Adicionalmente, el modelo de 1 TB incluye la tecnología TurboWrite, con tasa de hasta 90.000 IOPS.

No se pero esa tasa de 90,000 IOPS la reporta mi "840 Pro 128GB", tanto en Lectura como Escritura cuando lo mido con AS-SSD y CrystalDiskMark64.
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2 : Gman  (2733 comentarios)

11/12/2014 7:33:28
Cuantos más bits por celda más barato sale fabricar la NAND, pero tiene peores latencias y menor durabilidad, igual que la NAND no vertical.

A ver si alguien va a pensar que al tener el EVO 3bits y el PRO 2bits, el EVO es mejor.

El video es del 850 PRO, y crea confusión porque muchas cosas que se dicen en él no son ciertas en el EVO.

El ahorro de energía me parece la novedad más destacable entre el 840 EVO y 850 EVO. En los modelos de 1TB en escritura secuencial, el 850 EVO gasta un 30% menos que el 840 EVO:

Link

Curiosamente el 850 PRO 1TB consume menos que el 850 EVO 1TB y rinde más :O lo que demuestra que V-NAND 2 bits es más eficiente que 3 bits, y solo se usa por abaratar el coste del GB.
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3 : Alkermes  (739 comentarios)

11/12/2014 17:21:55
¿Hay 850 Pro en formato M.2?


Saludos.
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