Los nuevos Apple A19 Pro y A19, lanzados junto con la serie iPhone 17, comienzan a ser analizados en profundidad tras la aparición de imágenes detalladas de su silicio. Los estudios comparativos muestran una reducción significativa del área del die frente a la generación anterior A18.
Ambos chips están fabricados en 3 nm, pero el A19 emplea el nodo TSMC N3P, una variante de alto rendimiento frente al N3E utilizado en el A18.
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Un die hasta un 10 % más pequeño
El A18 Pro ocupa aproximadamente 105 mm², mientras que el A19 Pro reduce esa cifra hasta unos 98,6 mm², lo que supone una reducción cercana al 10 %. SemiAnalysis estima que el A19 estándar es un 9 % más pequeño que su predecesor.
Optimizaciones internas más allá del nodo
El cambio de nodo solo explica una reducción aproximada del 4 %, por lo que Apple ha introducido mejoras adicionales en el diseño interno del chip.
- P-Core un 4 % más pequeño.
- E-Core y GPU un 10 % más grandes, con mayor presupuesto de transistores.
Caché más densa y uncore optimizado
La caché SLC mantiene los 4 MB, pero reduce su área de 1,08 mm² a 0,98 mm², logrando una densidad un 10 % mayor. Además, los bloques uncore se han redistribuido de forma más eficiente.
El Apple A19 Pro logra una reducción de área comparable a un salto de nodo completo gracias a una combinación de proceso N3P y rediseño interno avanzado, consolidando la ventaja de Apple en eficiencia y diseño de silicio.
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Fuente: SemiAnalysis Tweet, Kurnal Tweet (die Shot - historical), Wccftech, Notebookcheck, Cardyak Tweet (die shot), Tieba Baidu
