Huawei podría estar avanzando hacia uno de los hitos más ambiciosos de la industria de los semiconductores: fabricar chips equivalentes a 2 nm sin usar litografía EUV, tecnología hoy monopolizada por ASML y restringida para China.
Una patente presentada por la compañía —detectada por el investigador Dr. Frederick Chen y publicada recientemente— describe un método para producir semiconductores de clase 2 nm utilizando únicamente equipos DUV, aún accesibles para Huawei y SMIC.
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Cómo funcionaría: 21 nm metal pitch usando SAQP
Según la patente, Huawei habría ideado una forma de lograr:
Metal pitch de 21 nm,
equivalente a soluciones de 2 nm de TSMC y Samsung,
usando litografía DUV mediante un proceso de SAQP (Self-Aligned Quadruple Patterning).
En circunstancias normales, alcanzar estas dimensiones requeriría:
múltiples exposiciones DUV (mucho más costoso y propenso a errores),
o directamente EUV, que Huawei no puede adquirir.
La técnica de Huawei reduce el número de patrones necesarios a cuatro, lo que haría viable el proceso… al menos en teoría.
Viabilidad comercial en duda: rendimiento, costes y escalabilidad
A pesar del avance técnico, analistas mantienen un importante escepticismo:
Los rendimientos iniciales serían extremadamente bajos,
lo que dificultaría la fabricación a gran escala,
y aún así, su eficiencia estaría muy por debajo de las soluciones basadas en EUV.
Sin embargo, China lleva años buscando alternativas para sortear las restricciones tecnológicas, y el desarrollo de rutas alternativas como esta encaja en esa estrategia.
Huawei ya mostró su avance previo: el Kirin 9030 en 5 nm “N+3”
Hace solo unos días, Huawei presentó el Kirin 9030, su primer SoC “clase 5 nm” fabricado por SMIC en el nodo N+3, utilizado en la serie Mate 80. La nueva filtración sugiere que la compañía ya está trabajando en el siguiente salto tecnológico: chips equivalentes a 2 nm.
China también investiga EUV propio y chips basados en nanotubos
Informes anteriores apuntaban a que China trabaja en:
sistemas EUV de fabricación nacional,
y nodos experimentales de 3 nm con semiconductores de nanotubos de carbono.
No obstante, la información es limitada debido al secretismo habitual en la industria china. Si hay avances reales, es poco probable que se hagan públicos a corto plazo.
Fuentes: Google via Dr Frederick Chen on X
