El fabricante de DRAM, y también de otros tipos de memoria, como GDDR7 y HBM, ha empezado a suministrar un nuevo tipo de memoria DRAM que ofrece una conductividad térmica 3,5 veces más alta que la DRAM estándar.
Este avance es importante porque permitirá mejorar los valores de temperatura en dispositivos pequeños, donde el calor se puede acumular rápidamente, como smartphones y otros dispositivos parecidos.
Para conseguir esa mayor conductividad térmica en esta DRAM se ha utilizado un compuesto moldeado epoxi "High-K", que significa alta conductividad térmica. Este, además de mejorar la conductividad y de aumentarla en 3,5 veces, ofrece una mejora de la resistencia térmica del 47%.
Con este nuevo tipo de DRAM se pueden evitar problemas de degradación del rendimiento y de inestabilidad por el exceso de calor, sin tener que alejar mucho la DRAM del SoC, lo que permite ahorrar espacio interno y facilita la distribución de componentes a los fabricantes.
Ese es otro de los problemas que tienen los smartphones y otros dispositivos móviles, que el poco espacio interno obliga a colocar los componentes de sus terminales muy cerca, lo que aumenta la concentración del calor y complica su refrigeración.
Se espera que este nuevo material permita mejorar las temperaturas de trabajo y el rendimiento, y también la autonomía de la batería. SK hynix lo ha definido como un gran logro, y ha dicho que ya están distribuyendo su DRAM fabricada con este material.
No han dicho cuándo podemos esperar la llegada del primer smartphone con este tipo de memoria, pero puede que en 2026 se empiece a utilizar en algún smartphone tope de gama.
