Nota de Prensa
KIOXIA presenta los dispositivos de memoria flash integrada versión 4.1.
Los nuevos dispositivos UFS con la 8.ª generación BiCS FLASHTM(1) de KIOXIA aumentan la velocidad y la eficiencia energética
Düsseldorf, Alemania, 9 de julio de 2025: KIOXIA Europe GmbH ha anunciado hoy que ha empezado a distribuir muestras de los nuevos dispositivos de memoria flash universal integrada(2) (UFS) 4.1, lo que refuerza su liderazgo en materia de almacenamiento de alto rendimiento. Diseñados para satisfacer las demandas de las aplicaciones móviles de próxima generación, entre ellos, los smartphones avanzados con IA integrada, los nuevos dispositivos ofrecen un rendimiento mejorado con una mayor eficiencia energética(3), en un pequeño paquete BGA.
Los dispositivos 4.1 de KIOXIA cuentan con la innovadora memoria flash 3D BiCS FLASH™ de la empresa y un controlador en un paquete estándar JEDEC®. Estos nuevos dispositivos UFS están diseñados con la 8.ª generación de memoria flash 3D BiCS FLASH™ de KIOXIA(1). Esta generación introduce la tecnología CBA (CMOS directly Bonded to Array), una innovación arquitectónica que supone un cambio radical en el diseño de la memoria flash.
Al unir directamente los circuitos CMOS a la matriz de memoria, la tecnología CBA ofrece importantes mejoras en eficiencia energética, rendimiento y densidad.
Con una combinación de velocidad y bajo consumo, los dispositivos UFS 4.1 de KIOXIA están diseñados para mejorar la experiencia del usuario, de tal forma que las descargas sean más rápidas y el rendimiento de las aplicaciones más fluido.
Estas son sus características principales:
- Capacidades de 256, 512 gigabytes (GB) y 1 terabyte (TB)
- Mejora del rendimiento en comparación con la generación anterior(3):
- Escrituras aleatorias: 512 GB/1 TB aprox. +30 %
- Lecturas aleatorias: 512 GB +45 % aprox., 1 TB +35 % aprox.- - Mejora de la eficiencia energética respecto a la generación anterior(3):
- Lecturas: 512 GB/1 TB aprox. +15 % de mejora
- Lecturas: 512 GB/1 TB aprox. +20 % de mejora - La desfragmentación iniciada por el host permite retrasar la recogida de basura para obtener un rendimiento sin interrupción en momentos críticos.
- El redimensionamiento del búfer WriteBooster proporciona mayor flexibilidad para un rendimiento óptimo
- Compatible con el estándar UFS 4.1
- Altura del paquete reducida para el modelo de 1 TB en comparación con la generación anterior(4)
- Funciona con la memoria 3D flash BiCS FLASH™ de 8.ª generación de KIOXIA(1)
«Los nuevos dispositivos de memoria integrada UFS 4.1 de KIOXIA suponen un avance notable, que refuerza el liderazgo de KIOXIA en materia de almacenamiento de alto rendimiento y su compromiso de liderar la innovación en almacenamiento flash», afirma Axel Störmann, vicepresidente y director de Tecnología de Productos de Memoria y SSD de KIOXIA Europe GmbH. «Diseñados con BiCS FLASHTM de 8.ª generación y tecnología CBA, estos dispositivos satisfacen las demandas de las aplicaciones móviles de nueva generación del mañana, como la IA integrada en dispositivos, lo que supone un salto significativo respecto a sus predecesores».
Notas:
(1) Solo modelos de 512 GB/1 TB.
(2) El almacenamiento flash universal (UFS) es la categoría de una clase de productos de memoria integrada desarrollados de acuerdo con la especificación estándar de UFS de JEDEC. Debido a su interfaz en serie, UFS es compatible con dúplex completo, lo que permite tanto la lectura como la escritura simultáneas entre el procesador host y el dispositivo UFS.
(3) En comparación con la generación anterior de dispositivos de 512 GB «THGJFMT2E46BATV» y 1 TB «THGJFMT3E86BATZ» respectivamente (solo modelos de 512 GB/1 TB).
(4) El dispositivo de 1 TB de la generación anterior «THGJFMT3E86BATZ».
