Nota de Prensa
KIOXIA y Sandisk presentan una tecnología de memoria flash 3D de nueva generación que alcanza una velocidad de interfaz NAND de 4,8 Gb/s
Las empresas presentan la tecnología de memoria flash 3D de 10a generación que establece un nuevo punto de referencia para el rendimiento, la eficiencia energética y la densidad de bits
Alemania, Düsseldorf, 20 de febrero de 2025 – KIOXIA Corporation y Sandisk Corporation han creado por primera vez una tecnología de memoria flash 3D de última generación, estableciendo el punto de referencia del sector con una velocidad de interfaz NAND de 4,8 Gb/s, una eficiencia energética superior y una mayor densidad.
Presentada en el ISSCC de 2025, la nueva innovación en memoria flash 3D, junto con la revolucionaria tecnología CBA (CMOS directly Bonded to Array)[1] de la empresa, incorpora uno de los últimos estándares de interfaz, Toggle DDR6.0 para memoria flash NAND, y utiliza el protocolo SCA (Separate Command Address)[2], un novedoso método de entrada de dirección de comando de su interfaz, y la tecnología PI-LTT (Power Isolated Low-Tapped Termination)[3], que es fundamental para reducir aún más el consumo de energía.
Al sacar partido de esta tecnología única de alta velocidad, las empresas esperan que la nueva memoria flash 3D alcance una mejora del 33 por ciento en cuanto a la velocidad de la interfaz NAND en comparación con su memoria flash 3D de octava generación actualmente en producción en masa, alcanzando así una velocidad de interfaz de 4,8 Gb/s. La tecnología también puede ofrecer una mayor eficiencia energética de la entrada/salida de datos, reduciendo el consumo de energía en un 10 por ciento para la entrada y un 34 por ciento para la salida, logrando así un equilibrio ideal entre un alto rendimiento y un bajo consumo de energía.
Anticipando la memoria flash 3D de 10a generación, las empresas detallaron que al aumentar el número de capas de memoria a 332 y optimizar el plano de planta para aumentar la densidad plana, la tecnología mejora la densidad de bits en un 59 %.
«Además de la demanda de una mayor eficiencia energética en los centros de datos, la generación de datos también aumentará enormemente, impulsada por las nuevas aplicaciones que utilizan la tecnología de IA, con operaciones sofisticadas como la inferencia en el borde y la aplicación de técnicas de aprendizaje por transferencia que agravan aún más los requisitos de almacenamiento», reflexiona Axel Stoermann, vicepresidente y director de tecnología de KIOXIA Europe GmbH. «KIOXIA continúa sentando las bases para satisfacer estos requisitos de almacenamiento del futuro: velocidades más altas, mayor capacidad y menor consumo de energía».
El vicepresidente sénior de Estrategia Global y Tecnología de Sandisk, Alper Ilkbahar, dijo: «A medida que la IA avanza, los requisitos de memoria de los clientes son cada vez más diversos. Mediante nuestra innovación tecnológica CBA, nuestro objetivo es lanzar productos que ofrezcan la mejor combinación en términos de capacidad, velocidad, rendimiento y eficiencia de capital para atender a nuestros clientes en todos los segmentos del mercado».
KIOXIA y Sandisk también compartieron planes para la próxima memoria flash 3D de 9a generación. Gracias a su exclusiva tecnología CBA, las empresas son capaces de combinar la nueva tecnología CMOS con una tecnología de celda de memoria existente para ofrecer productos de bajo consumo, alto rendimiento y eficiencia de capital. Ambas empresas mantienen su compromiso con el desarrollo de tecnologías de memoria flash de vanguardia, ofreciendo soluciones personalizadas para satisfacer las necesidades de los clientes y contribuyendo al avance de la sociedad digital.
