Según apuntan las últimas filtraciones, AMD podría aliarse con Samsung para fabricar chips muy avanzados de 3 nm. De momento, solo TSMC y Samsung cuentan con líneas de producción compatibles con este exigente nodo de fabricación. De todos modos, TSMC y Samsung emplean diferentes tipos de transistores.
TSMC depende de los transistores FinFET, mientras que Samsung cuenta con la tecnología GAAFET, que permiten que el flujo de corriente que se mueve en el interior del chip de Silicio. Según un informe del diario Korea Economic Daily, Samsung y AMD se espera que profundicen en su alianza estratégica para fabricar chips de siguiente generación en el nodo de 3 nm.
El diseño de Samsung, GAAFET, es mejor que el diseño de TSMC, FinFET, al favorecer la mejora del flujo de corriente. Los transistores GAAFET usan nanowires o nanosheets (nano hilos o nano láminas) en su construcción. Lisa Su, CEO de AMD, recientemente ha hablado de los beneficios de GAAFET sobre FinFET, así como la intención de AMD de fabricar sus siguientes generaciones de chips con esta tecnología.
El panorama actual de geopolítica y tecnología, ha hecho que Samsung e Intel no estén demasiado alineadas con TSMC. Intel está probando equipos litográficos High NA EUV, mientras que Samsung está apostando por GAAFET. TSMC, por su parte, afirma que puede usar máquinas EUV convencionales en sus nodos más avanzados.
