Intel sigue hablando de sus futuros nodos de fabricación de semiconductores, y ahora ha dado información sobre el nodo Intel 10A, que será el sucesor del nodo Intel 14A. Su producción dará comienzo, según Intel, a finales de 2027, aunque su disponibilidad en esa fecha podría ser muy limitada, y su disponibilidad real en masa no sería posible hasta 2028.
La nomenclatura que utiliza Intel no guarda una relación directa con nanómetros. El nodo Intel 7 no equivale a 7 nm, sino a 10 nm, aunque tenga una densidad de transistores mayor que las versiones de TSMC con menor tamaño. El nodo Intel 4 se refiere a 7 nm con una densidad de transistores muy alta, y el nodo Intel 3 sería en realidad de 5 nm. Sin embargo, la conversión de Angstrom a nanómetros sí es directa, y en este caso el nodo Intel 10A debería equivaler a 1 nm.
Ahora mismo los nodos Intel 4, Intel 3 e Intel 20A representan juntos un 15% del total de obleas que fabrica Intel. La mayoría de las obleas que fabrica la compañía utilizan el nodo Intel 7, lo que indica que la transición entre nodos es muy lenta, y que cuando se empiece a utilizar el nodo Intel 10A esa transición será todavía más lenta y más complicada.
Intel se ha mostrado optimista a pesar de los retos que representa un nodo como el Intel 10A. Con este nodo la compañía ya habrá avanzado en su transición a los transistores RibbonFET, aunque no ha dado ningún detalle técnico sobre este nodo, así que no está confirmado ni el tipo de transistores que utilizará ni la litografía.
El coste inicial de un nodo como este podría ser también muy elevado, y nos dejaría en las puertas del supuesto límite teórico del silicio.
