Samsung Foundry ha anunciado que empezará a fabricar en grandes cantidades sus chips de 3 nm de primera generación. Este nodo está basado en la arquitectura GAA (Gate All Around) que es el siguiente paso evolutivo tras FinFET.
Este nodo de 3nm ofrece un 23% mejor rendimiento que los chips fabricados en el nodo de 5 nm con una reducción de consumo de un 45% y un 16% de reducción en la superficie ocupada. La segunda generación del nodo de 3 nm será más espectacular, si cabe, con un 50% de reducción en el consumo frente al nodo de 5 nm y una mejora de un 30% en rendimiento con una reducción del área ocupada de un 35%.
Samsung adelanta así a TSMC, que empezará a fabricar masivamente los chips de 3nm en la segunda mitad del año. El diseño GAA permite hacer que los transistores sean más delgados sin perjudicar la circulación de corriente. El diseño GAAFET usado en el nodo de 3 nm usa la variante MBCFET que se ve en la imagen.
