Micron ha desarrollado una tecnología para la memoria NAND con 176 capas que será usada en memoria DRAM y unidades SSD PCIe 4.0. Ahora, sabemos que también se usará en las soluciones de almacenamiento UFS 3.1 para smartphones. Es una solución para terminales de gama alta, con unas velocidades de lectura y escritura secuenciales y aleatorias un 75% mejores que con tecnologías anteriores.
Micron habla de que con esta tecnología NAND, se pueden descargar contenidos como una película 4K de 14 GB en solo 9,6 segundos gracias a sus 1,5 GB/s de velocidad de escritura secuencial. Esta nueva tecnología reduce la latencia un 10% y permite que tareas como el cambio de tareas sea más ágil y con una mejor respuesta.
Honor ha sido la primera en integrar esta tecnología en sus móviles Honor Magic 3, que podrían venir con 128 GB y 512 GB de almacenamiento "pata negra". Lo confirmaremos el 12 de agosto cuando se presente oficialmente esta familia de terminales flagship globalmente.
