Los expertos piensan que la memoria magnetorresistiva de acceso aleatorio (MRAM) será el próximo gran hito de la tecnología. Un equipo de investigación interdisciplinario con sede en la Universidad Nacional Tsing Hua (NTHU) en Taiwán, dirigido por el profesor Chih-Huang Lai, del Departamento de Ciencia e Ingeniería de Materiales, y el profesor Hsiu-Hau Lin, del Departamento de Física, parece haber dado un paso de gigante en la investigación de este nuevo tipo de memoria.
Agregando una capa de platino de solo unos pocos nanómetros de espesor, el dispositivo empleado por los investigadores genera una corriente de giro para cambiar los momentos magnéticos fijados a voluntad, una tarea que nunca antes se había logrado. Hemos de entender que la MRAM no sólo genera una lectura y escritura más rápidas y un consumo de energía reducido, sino que también es capaz de retener datos durante un corte de energía, lo que la hace particularmente prometedora.
La MRAM tiene una capa superior que consta de un imán que se mueve libremente, el cual se utiliza para el cálculo de datos, mientras que la capa inferior consta de un imán fijo, responsable del almacenamiento de datos. Estas dos capas están separadas por una capa de óxido que hace de aislante. El desafío es cambiar estas capas por medios eléctricos, y parece ser que tras numerosos intentos tuvieron éxito con una capa de platino de un nanómetro de espesor.
El primer desafío ha sido vencido, y ahora sólo queda saber cuándo podremos ver la MRAM en terreno real, pero no parece que vaya a ser a corto plazo.
