El gigante surcoreano está trabajando en el desarrollo de toda la tecnología necesaria para dar el salto al proceso de 3 nm en 2022, un movimiento muy importante que marcará el futuro de sus SoCs Exynos y que afectará también a otros productos de la compañía, así como a los desarrollos de sus principales clientes.
Samsung superó la barrera de los 7 nm utilizando los procesos LPE (low power early) y LPP (low power plus), una estrategia que la compañía surcoreana debería mantener en sus próximas reducciones de proceso de fabricación, incluyendo tanto el de 5 nm como el de 3 nm.
Más allá de esta cuestión, cuya importancia esta fuera de toda duda ya que representa un planteamiento similar a lo que estamos acostumbrados a ver en los procesadores de consumo general (7 nm y 7 nm+, por ejemplo), está el tema de los transistores.
Para dar el salto al proceso de 3 nm en 2022 y conseguir un resultado óptimo, Samsung está trabajando en transistores de nueva generación conocidos como Gate-All-Around FET, que ofrecerá una serie de ventajas fundamentales para completar un salto con garantías de éxito.
Entre las ventajas más importantes de dicha tecnología destaca un control mucho mejor del canal del transistor, que permitirá prevenir fugas eléctricas en nodos más pequeños. Samsung también utilizará la tecnología Multi Bridge Channel FET, que permitirá reducir el consumo hasta en un 50% y mejorar el rendimiento hasta en un 30%.
