Samsung ha presentado una nueva solución de almacenamiento de alto rendimiento y alta capacidad, el NF1. Esta unidad utiliza el formato M.2 y tiene un tamaño muy compacto (11 x 3 centímetros), pero es una de las soluciones más potentes que existen en el mercado.
La compañía coreana ha utilizado una controladora propia y chips de memoria V-NAND (apilada en vertical). Cada chip suma 512 GB de capacidad de almacenamiento, lo que arroja un total de 8 TB de capacidad. Es compatible con la interfaz PCIE 4.0, sucesora de la actual PCIE 3.0.
En las pruebas de velocidad de escritura y lectura secuencial el NF1 ha conseguido alcanzar los 3.000 MB/s y 2.000 MB/s, unas cifras que impresionan ya que un SSD estándar con interfaz SATA III ronda los 500 MB/s en ambas pruebas. Los resultados en lectura y escritura aleatoria también son muy buenos, ya que registra 500.000 y 50.000 IOPS.
Samsung ha confirmado que es una solución pensada para el sector profesional y que para mantener un alto nivel de rendimiento en cualquier situación esta unidad tiene 12 GB de memoria RAM de tipo LPDDR4, que actúa como caché para impulsar las diferentes cargas de trabajo a las que se enfrenta.
El NF1 tiene tres años de garantía y según Samsung dicho periodo cubre un ciclo máximo de escritura al día de 1,3 veces su capacidad total. Esto confirma que puede resistir cargas intensas de trabajo ofreciendo una alta fiabilidad.
