La compañía taiwanesa especializada en la fabricación de semiconductores invertirá nada menos que 20.000 millones de dólares en una nueva fab para la fabricación de obleas y chips con tecnología de 3nm que se espera que esté operativa dentro de dos años según ha confirmado un directivo senior de la compañía.
Esta inversión será la más grande jamás realizada por TSMC y muestra el interés de la compañía por estar al frente de la innovación en la fabricación de semiconductores, por delante de Samsung o de Intel. Ya en septiembre se habló de la intención de construir una fab en el sur de Taiwan, y más concretamente en Tainan. Ahora se sabe que el coste de estas instalaciones es de 20.000 millones de dólares.
La reducción del tamaño de los transistores supone mejorar en aspectos como la cantidad de ellos que caben en una misma superficie de un chip, o en el del consumo energético. Pero al mismo tiempo supone tener que superar retos cada vez más complicados en la elaboración de los métodos de fabricación de las obleas.
A modo de referencia cabe decir que el iPhone X usa un procesador fabricado con la tecnología TSMC de 10nm. Apple es el cliente más importante de TSMC en la actualidad, contribuyendo a un 17% del total de los ingresos en el año 2016. Para el año próximo está prevista la fabricación de chips con 7nm.
A medida que se reduce el tamaño de los transistores, el coste de fabricación aumenta. Por ejemplo, la máquina de litografía extrema ultravioleta EUV que se empleará en los transistores de 7nm cuesta la nada desdeñable cifra de 1.200 millones de euros.
