Samsung acaba de anunciar que su división de negocio dedicada a la fabricación de circuitos integrados está en disposición de comenzar a producir a gran escala y en volumen SoCs basados en la segunda generación de la tecnología de fabricación FinFET de 10nm, denominada 10LPP (Low Power Plus).
Esta tecnología permite mejorar el rendimiento un 10% o reducir el consumo hasta un 15% frente a las métricas de los SoCs de primera generación 10LPE (Low Power Early). 10LPP está basado en 10LPE, por lo que los tiempos necesarios para pasar del desarrollo a la producción se han acortado mucho y posibilita que se puedan obtener producciones en volumen desde el principio.
Los SoCs diseñados con la tecnología de fabricación 10LPP serán usados en los dispositivos que se lancen a primeros del año próximo y serán el tipo de chip habitual a medida que avance el año. El siguiente paso evolutivo serán los SoC de 10nm 8LPP.
Samsung también ha anunciado que su nueva línea de producción, S3, localizada en Hwaseong, Corea, está lista para empezar a funcionar usando tecnologías de 10nm primero y más avanzadas posteriormente. S3 es al tercera fab de Samsung dentro de la división Foundry Business, tras S1 ubicada en Giheung, Corea, y S2 en Austin, Texas. La fab S3 está preparada para dar el salto a la tecnología FinFET de 7nm de Samsung que hace uso de EUV (Extreme Ultra Violet).
