IBM y Micron aúnan esfuerzos y recursos para ofrecernos la primera memoria RAM con estructura tridimensional.
Al igual que Intel comenzara a trabajar con sus transistores 3D, ahora le toca el turno a la memoria RAM, que combinando la estructura de Cubo de Memoria Híbrida de Micron (HMC) y el proceso de fabricación de chips por vías a través de silicio de IBM (TSVs), permite crear una estructura 3D de chips de RAM.
El proceso de fabricación de 32 nm con conductos verticales permite conectar eléctricamente una pila de chips individuales, consiguiendo 10 veces más ancho de banda (128 GB/s) que la memoria RAM actual, un 70% menos de energía y un tamaño de sólo un 10%.
En principio, la RAM 3D está destinada para servidores e industria en general, pero se espera que también llegue al sector doméstico tarde o temprano. ¿Cuánto tiempo le damos para que esto ocurra?
