Samsung acaba de anunciar chips de memoria NAND fabricados en 20 nanómetros frente a los anteriores están fabricados en 45nm. Dicho paso es un gran hito tecnológico que permitirá disponer de chips de memoria de 4GB que servirán para montar tarjetas de memoria de 4GB a 64GB.
Además de aumentar la densidad de memoria en un mismo espacio físico, hablamos de que hay un aumento de fiabilidad y velocidad del orden de un 30% frente a chips MLC de 30nm (los integrados en tarjetas de memoria SD de 8GB y más).
Resumiendo, las tarjetas de memoria van a llegar con más capacidad al mercado, más baratas y más rápidas, clase 10 -20MB/s en lectura y 10 MB/s en escritura- a lo largo de este año.
