Intel ha anunciado hoy que ha logrado fabricar memorias Floating Body Cell (FBC) con High-k y Metal Gate en tecnología de 45nm. Ésto puede significar una nueva era de células de memoria caché con super densidad en relación a la actual usable para CPUs y otras aplicaciones.
Las memorias FBC permitirán conseguir entre tres y cuatro veces la densidad actual conseguida por memorias caché SRAM. FBC usa sólo un condensador frente a los seis transistores que usa la SRAM permitiendo reducir más el tamaño final. FBC se fabrica sobre un Metal Gate de 45nm en un fino sustrato de 22nm SOI (Silicon On Insulator) de voltaje ultra bajo. El nuevo dispositivo está 2 generaciones más avanzado que el primero que mostró Intel en 2006.
