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Habrá memoria NAND con más de 140 capas apiladas en 2021

15 de mayo, 2018 | Por Manuel Arenas | lecturas: 871 | 3 coment.
Fuente: Guru3D

Uno de los factores que ha permitido aumentar la capacidad de la memoria Flash, así como mejorar la fiabilidad y la durabilidad, sin impactar en el precio en exceso, es la tecnología de memoria NAND en 3D. Apilando capas de memoria, se pueden usar celdas de más tamaño sin impactar negativamente en la capacidad, mejorando las propiedades de resistencia frente a los ciclos de escritura, sin aumentar los costes de fabricación en exceso.

De momento, se pueden apilar 64 capas de celdas de memoria en un chip NAND, lo cual está muy bien, todo sea dicho. Pero este número se acercará a las 140 capas o más en 2021. En un roadmap de Applied Materials aparece esta mención. No es que haya más capas, es que son más delgadas. El objetivo es aumentar el volumen de almacenamiento en cada chip. Una NAND apilada alcanza hoy los 55 nm, pero para 2021 será de 45 nm.

Toshiba y Western Digital están trabajando en su tecnología de 96 capas para la memoria 3D NAND, con muestras para los próximos 12 meses. Samsung alcanzará las 96 capas este año con su quinta generación de memoria. Lo que no dice el roadmap de Applied Materials es cómo se traducen estas capas en el almacenamiento visto por el usuario como utilizable. Samsung habla de chips de 1 terabit, por ejemplo, con tecnología QLC (Quad Level Cell) y 96 capas.

Grupos: Almacenamiento , Memoria
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