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Micron empieza a introducir la memoria NAND Quad Level Cell para discos SSD

13 de febrero, 2018 | Por Manuel Arenas | lecturas: 1439 | 5 coment.
Fuente: Guru3D

En la Conferencia A3 Technology Live Conference, Micron ha hablado de su primer SSD usando memoria NAND Quad Level Cell. El primer disco será enfocado al segmento empresarial y estará disponible este mismo año. De todos modos, este tipo de tecnologías de memoria NAND multinivel parecen más orientadas al segmento de consumo que el corporativo.

QLC, en teoría, debería permitir más capacidad en los discos SSD a menores precios. QLC ofrece un 33% más de capacidad que TLC (Triple Level Cell), aunque a cambio el rendimiento se ve penalizado. La memoria QLC-NAND está basada en en capas de celdas NAND apiladas. 64 capas en concreto, con una capacidad de 768 gigabits, que permitirían hasta 1,5 TB de almacenamiento por unidad de almacenamiento.

Este tipo de NAND escribe 4 bits en cada celda. Dependiendo del nivel de voltaje, tendremos un valor entre los 16 posibles que se pueden configurar con 4 bits. Ahora bien, es más complicado discriminar un valor entre 16 que uno entre 8 o entre 4, o entre 2. De ahí que el rendimiento sea menor. Además, la vida útil de las celdas de memoria se reduce en teoría.

Con todo, se introducen técnicas de corrección de errores que reducen el problema de la degradación de las celdas en gran medida. Así todo, las soluciones QLC encajan mejor en escenarios donde los datos se lean mucho pero se escriban poco, como en NAS.

Micron llega al mundo de la tecnología QLC-NAND tras SK Hynix, Toshiba, Samsung y Western Digital, que ya están trabajando en este tipo de almacenamiento.

Grupos: Almacenamiento , SSD , Almacenamiento
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