Coincidiendo con la feria CES 2018, que tendrá lugar la semana próxima en Las Vegas (EEUU), Toshiba mostrará ejemplo de uso de su memoria BiCS FLASH 3D. Toshiba fue la primera compañía que anunció la tecnología 3D de memoria flash, con un óptimo equilibrio entre capacidad de almacenamiento y fiabilidad, así como precio. Toshiba sigue desarrollando productos en este campo, como sus sustratos de 96 capas y 512Gb, o los dispositivos con celdas de cuádruple nivel (QLC), o la adición de la tecnología Through Silicon Via (TSV).
Toshiba Memory Corporation (TMC) y su tecnología BiCS FLASH han sido claves para el desarrollo de sectores como el de la empresa, los centros de datos y aplicaciones móviles en áreas como la IA, realidad virtual o aplicaciones para la automoción o el IoT. En este CES, aprovechará el avanzado estado de desarrollo de la memoria de 64 capas BiCS FLASH 3D para ofrecer soluciones como los SSD RC100 M.2 NVMe, diseñados desde cero para ofrecer un elevado rendimiento superior al de la interfaz SATA a un precio al alcance de un mayor número de economías que las propuestas actuales. La audiencia está compuesta por gamers o amantes del DIY.
El factor de forma de estos discos RC100 es el de 22x42mm, con un reducido consumo de energía y elevado rendimiento. Aparte de estas unidades, TMC mostrará unidades externas SSD ruggerizadas como la XS700.
