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Samsung comienza la producción a gran escala de almacenamiento eUFS de 512GB

6 de diciembre, 2017 | Por Manuel Arenas | lecturas: 1020 | 4 coment.
Fuente: Hexus

Samsung ha anunciado oficialmente el comienzo de la producción masiva de memoria embebida UFS (Embedded Flash Storage o eUFS). Esta solución de almacenamiento de alta capacidad está fabricada a partir de ocho chips de memoria V-NAND de 64 capas de Samsung con 512 Gb, más una controladora integrada. De este modo se dobla la densidad de almacenamiento frente a la solución eUFS de 48 capas V-NAND de 256GB.

El volumen del componente se mantiene constante, pero se dobla la capacidad de almacenamiento. Este aumento de capacidad repercutirá favorablemente en la capacidad de almacenamiento de las siguientes generaciones de dispositivos móviles en las gamas premium en primera instancia. Puede que ya se vean propuestas en el próximo CES 2018 a primeros de enero, y/o en el MWC de finales de febrero del año próximo. Es probable que el primer modelo con este tipo de almacenamiento sea el Galaxy S9.

Con nada memos que 512 GB de almacenamiento de alta velocidad, la necesidad de tarjetas de memoria adicionales se reduce notablemente y se evitan los cuellos de botella ocasionados por el uso de memorias externas de bajo rendimiento. El rendimiento de estas soluciones eUFS alcanza los 860MB/s para lectura y los 255MB/s para escritura. Es decir, se puede copiar un vídeo de 5GB en unos seis segundos, unas ocho veces más rápido que con una microSD. En cuanto a IOPs, estamos ante 42.000 para lectura y 40.000 para escritura, que es varios cientos de veces mejor que en una microSD convencional.

Los datos sobre consumo energético no han sido compartidos aún, aunque es de esperar que no sea excesivo, aunque no tardaremos mucho en comprobarlo a la vista de la rapidez con la que parece que se van a fabricar estos chips con vistas a usarlos en terminales de próxima generación.

Grupos: Samsung , Almacenamiento , Samsung
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