Hace nueve días, Samsung confirmó el haber alcanzado los 2.8 GHz en sus memorias GDDR4.
Ahora, Samsung ha mostrado en ISSCC, International Solid-State Circuits Conference, chips GDDR4 de 512 MBit de 80 nm funcionando a 2,0 V y a 4 GHz. Un sólo chip tiene un ancho de banda de 16 GB/s. En una configuración con bus de 256 bits, podrán alcanzar los 128 GB/s, si el bus es de 512 bits (Típico de las próximas X2900), la cifra se elevaría a 256 GB/s, mucho más que los actuales 86,4 GB/s de las 8800 GTX.
Las estimaciones iniciales eran que se lograrían los 2,8 GHz en 2007, ya alcanzados, y para 2008 la GDDR5 empezaría con 3,5 GHz para avanzar luego los 4 GHz en 2009. Estos avances de Samsung podrían obligar a la industria a replantearse los planes de lanzamiento de estos productos.
De momento, Samsung no ha revelado cuándo estos nuevos chips de memoria formarán parte de los productos, entre otras cosas, porque esa memoria GDDR4 necesitaría rediseñar el PCB de las gráficas.
