Ahora que tenemos con nosotros los sistemas de almacenamiento NMVe, parece que volver al tiempo de las cachés de aceleración de sistema se antoja un paso atrás... Pero nada más lejos: podemos gozar de un desempeño impresionante con esta unidad híbrida y tan contentos. Y es que la Intel Optane Memory H10 tiene ambas cosas: caché de aceleración por un lado, y almacenamiento sólido por otro. De esta forma, tenemos lo mejor de ambos mundos. Y todo ello en un formato M.2 2280 y con interfaz PCIe NVMe 3.0 x4. Podéis ver por las fotos que el Intel Optane Memory H10 tiene un aspecto realmente sencillo:
Con un peso inferior a los 10 gramos y un tamaño ridículo, el Intel Optane Memory H10 es la solución perfecta para los que quieren la velocidad de un disco NVMe y, además, una ayuda extra con la caché del sistema. Esta unidad que hemos recibido incorpora 16 GB para caché, y luego 256 GB de almacenamiento, con una lectura secuencial que llega a los 1.450 MB/s y una escritura secuencial de hasta 650 MB/s. No son unos datos que rompan récords, pero pueden ser de gran utilidad en multitud de sistemas, sobre todo portátiles y ordenadores compactos tipo OEM. La garantía del Intel Optane Memory H10 es de 5 años.
Hay que tener en cuenta que el Intel Optane Memory H10 incorpora chips QLC 3D NAND de Intel, y que los combina con la tecnología Low Latency de Optane para lograr lo mejor de ambos mundos. Si bien a día de hoy parece que las cachés de sistema se están quedando atrás, un producto como éste puede ser útil en multitud de escenario, porque no todo es rendimiento bruto (con los costes, sobre todo económicos, que esto conlleva).
Dejamos las especificaciones principales del Intel Optane Memory H10 a continuación:
- Capacidad: 256 GB (+16 GB caché)
- Interfaz PCIe Gen 3.0 x4 NVMe
- Lectura secuencial: hasta 1.450MB/s
- Escritura secuencial: hasta 650MB/s
- Escritura aleatoria máxima: 150 kIOPS
- Lectura aleatoria máxima: 230 kIOPS
- Latencia de lectura / escritura: 8 / 30 µs
- Vibración operativa: 2.17 GRMS (5-700 Hz) Max
- Vibration no operativa: 3.13 GRMS (5-800 Hz) Max
- Shock (operativo y no): 1000 G / 0.5 ms y 1500 G / 0.5 ms
- Rango de temperaturas operativa: 0°C a 70°C
- Escrituras totales: 75TBW
- MTBF: 1,6 millones de horas
- Uncorrectable Bit Error Rate (UBER) < 1 sector por 10^15 bits de lectura
- Formato M.2 2280
- Peso: menos de 10 gramos
Página oficial del producto: Intel Optane Memory H10.
